EEPROM提高耐写性能的关键技术是意法半导体先进的CMOSF8H 0.15 μm制程。此次推出的新产品包括工业级和汽车级EEPROM，在25°C条件下，耐写性能为每字节400万次；在150°C条件下，耐写性能为每字节40万次。总耐写性能为10亿次，数据保存期限为200年（55°C）。
增强的耐写性能和延长的数据保存期限有助于简化系统设计，可保存需要经常更新的数据以及变化较慢的参数，避免使用为延长标准EEPROM寿命而耗费存储容量的解决方案。此外，总耐写性能使其可用于汽车或医疗等因为环境条件变化而需要经常更新重要参数的应用（数据记录）。
