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XT25F01DTSIGU 低功耗双IO串行NOR闪存 

特征

■1M/2M位串行闪存

128/256 K字节

每个可编程页面256字节

■标准，双SPI

标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO

双SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1

■灵活的架构

4K字节扇区

64k字节块

■软件写保护

通过软件对全部/部分内存进行写保护

■包装选项

见1.1可用订购OPN

所有无铅包装均符合RoHS、无卤素和REACH。

■温度范围和湿度敏感度

工业级温度。（-40℃至+85℃），MSL3

■低功耗

最大有功电流10mA

最大待机电流0.08uA

■单电源电压：全电压范围：2.7~3.6V

■支持128位唯一ID

■最少100000次编程/擦除周期

■高速时钟频率

120MHz用于快速读取，负载为30PF

双I/O数据传输高达240Mbits/s

超低功耗，4M/2M/1M/512K-BIT串行闪存，带双SPI