产品详情

XB8886A 赛芯微SOP-8 锂电池保护芯片

参数

VDD输入电压：-0.3 to 6V

VM输入电压：-6 to 10V

工作环境温度：-40 to 85°C

最大结温：125°C

储存温度：-55 to 150°C

引脚温度( 焊接, 10 秒) ：300°C

环境温度25°C时的功耗：0.625W

封装热限(结温) θJA：300°C/W

封装热阻(结到环境) θJC：130°C/W

ESD：2000V

概述 

XB8886A系列产品是用于锂离子/聚合物电池保护的高度集成解决方案。

XB8886A包含先-进的功率MOSFET、髙精度电压检测电路和延迟电路。

XB8886A采用ESOP-8封装，只有一个外部组件，是电池组有限空间的理想解决方案。

XB8886A具有电池应用中要求的所有保护功能，包括过充电、过放电过电流和负载短路保护等。准确的过充电检测电压确保充电的安全和充分利用。低待机电流在存储期间几乎不会从电池中消耗电流。

该设备不仅适用于数字手机，也适用于任何其他需要长期电池寿命的Lilon和LiPoly电池供电的信息设备。

应用 

单节锂离子电池组

锂聚合物电池组