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ETA8315N 钰泰N沟道MOSFET 封装DFN3X3-8

功能和应用

◆ 沟槽功率MOSFET技术

◆ 低RDSON和低栅极电荷

◆ 提供DFN3X3-8封装

◆ 无铅，符合RoHS和REACH

◆ 无卤素“绿色”设备

◆ SMPS及其通用应用

绝对最大额定值（Ta=25°C）

◆ 漏源电压：30V

◆ 栅源电压：±20V

◆ 连续漏极电流

TA=+25°C:16A

TA=+100°C:15A

◆ 脉冲漏极电流：50A

◆ 雪崩电流：14A

◆ 雪崩能量L=0.1mH:9.8mJ

◆ 功耗：

TA=+25°C:15.6W

TA=+100°C:6W

◆ 连接和储存温度范围：-55至150°C