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热销中 DWN5R604M 敦为N沟道高级功率MOSFET

特征

● VGS=10V时RDS低（开启）

● 10V逻辑电平控制

● 100%UIS测试

● 无铅，符合RoHS

应用

● 负载开关

● 开关电路

● 高速线路驱动器

● 电源管理

TJ=25°C时的静电特性（除非另有说明）

● 漏源击穿电压：40V

● 零栅极电压漏极电流

VDS=40V，VGS=0V:1μA

VDS=32V，VGS=0V：100nA

● 门体泄漏电流：±100nA

● 栅极阈值电压：1.5V 2.0V 2.5V

● 漏极-源极导通电阻：3.8~5.0mΩ

● 漏源导通电阻：7.0~8.5mΩ

TJ=25°C时的动态电气特性（除非另有说明）

● 输入电容：1130pF

● 输出电容：383pF

● 反向传输电容：63pF

● 闸门总电荷：25nC

● 栅极-源极电荷：2.4nC

● 栅极-漏极电荷：6.9nC

开关特性

● 开机延迟时间：10ns

● 开启上升时间：21ns

● 关闭延迟时间：32ns

● 关闭秋季时间：12ns

源极-漏极二极管特性

● 源漏电流（体二极管）：80A

● 正向导通电压：0.84~1.2V