产品详情

达尔MOSFET 2N7002DW-7-F 双N沟道增强型

说明

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

特点和优点

●双N沟道MOSFET

●低导通电阻

●低栅极阈值电压

●低输入电容

●切换速度快

●低输入/输出泄漏

●超小型表面安装封装

●完全无铅，完全符合RoHS标准

●无卤素和锑。“绿色”设备

● 适用于需要特定变更控制的汽车应用（即：符合AEC-Q100/101/200、PPAP能力并在IATF 16949认证设施中制造的零件）

●本零件符合JEDEC标准（作为AEC-Q中的参考），具有高可靠性。

●汽车兼容零件可单独购买

应用

●电机控制

●电源管理功能