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重磅新品 DMN3016LFDF-7 达尔N沟道增强型MOSFET

说明

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

特征

●0.6mm轮廓–非常适合低轮廓应用

●PCB占地面积4mm2

●低栅极阈值电压

●低导通电阻

●完全无铅，完全符合RoHS标准

●无卤素和锑。“绿色”设备

●本零件符合JEDEC标准（作为AEC-Q中的参考），具有高可靠性。